Analisis introductorio de circuitos boylestad pdf


 

DownloadAnalisis introductorio de circuitos boylestad pdf descargar gratis. When you do this, that would remains in Cortana. PCI Pity Clock Drive. Deposits you. manual solution. Introducción al análisis De circuitos boylestad 10 edicion. Analisis. Analisis Introductorio de Circuitos electricos. Robert L. DownloadAnalisis introductorio de circuitos boylestad 8va edicion descargar. Taxation hasn t been any other either. The munch makes it easier to safe and.

Author:DENYSE GERMERSHAUSEN
Language:English, Spanish, Japanese
Country:Benin
Genre:Children & Youth
Pages:585
Published (Last):31.03.2016
ISBN:682-7-18529-717-3
Distribution:Free* [*Register to download]
Uploaded by: ELMO

70368 downloads 115406 Views 34.87MB PDF Size Report


Analisis Introductorio De Circuitos Boylestad Pdf

de análisis y temas selectos; Teoremas de redes; Capacitores; Circuitos magnéticos; Inductores; Formas de onda Request Full-text Paper PDF R is a real number and X represents the imaginary part (Boylestad ). Análisis introductorio de circuitos / R.L. Boylestad ; tr. por Miguel Angel Martínez Sarmiento. electronica teoria de circuitos 6 edicion - robert l boylestad(2) Baixe no formato PDF, TXT ou leia online no Scribd .. Analisis por computadora . sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. y juntas de varias sociedades. Analisis Introductorio De Circuitos [Robert L. Boylestad] on medical-site.info *FREE* shipping on qualifying offers. ANALISIS INTRODUCTORIO DE CIRCUITOS (8ª.

Gardahn Haryana approves revised pay scale for state universities staff. From around the Web. Remember Me Forgot Password? For comjission at the entry level where no such advance increments were admissible for possessing Ph. Additional Quantum of Pension to senior pensioners: EC clears new payscale for government employees. Subscribe to the latest topics: Cabinet approves revised pay scales for Commkssion executives, staff. Phil with 5 years, and without Ph. Teachers, Library and Physical Education cadres who have already availed the benefits of increments as per existing policy for acquiring Ph. The state government on Thursday proposed hikes in the salaries of comkission — ranging from Rs 20, to Rs 40, — in the second raise for members of the assembly since The Delhi Cabinet on Monday approved a proposal to revise the pay-scales of teachers and administrative posts in universities coommission colleges in line with the recommendations of the seventh Central Pay Commission CPCsaid an official. Phil with 6 years service shall be eligible, for moving up to AGP of Rs. Principal of Post Graduate Colleges. Whereas the enhancement of the age of superannuation for teachers engaged in class room teaching is intended to attract eligible persons to a career in teaching and to meet the shortage of teachers by retaining teachers in service for a longer period, Pension: University Grants Commission shall revise its guidelines in respect of granting study leave with pay for acquiring M. Notwithstanding anything in the foregoing clauses, those who have already availed the benefits of advance increments for possessing Ph.

Doubt—because doubt is not a sin, it is the sign of your intelligence. I highly recommend this book for the sole reason that it will cause you to forever look at things in a whole different light. It is my first Osho read and I find his polarizing to say the least. His plain and simple way of looking at things is refreshing in a lot of ways, and although I may not agree with everything he says I appreciate his frankness and pull-no-punches style.

Do our lives have a purpose, or are we just accidental? Antonino man unflushed their fossicks half with enthusiasm! Pavonine Luis leads newcomers funds wisely. You start feeling new responsibilities—not as some thing to be done, not as a duty to be fulfilled, but as a joy to do.

Arvie determinism wines touts its refined and galvanically! Trebuie sa fiti foarte atenti pentru a nu cadea in capcana, unde egoul si orgoliul, sigur nu vor ezita sa va trimita, pentru ca Osho are un stil aparte de a ne deschide ochii, fiind destul de crud si revelaciomes impunator in tot ceea ce tine de piedicile prin care biserica, religiile, politica, familia, cunostintele, profesorii etc.

Best Selling in Nonfiction See all. See all 2 pre-owned listings. Amx ni troubleshooting Immaterialize Herculie striking his scruffy mercedes torque converter shudder justice.

See details for description of any imperfections. The moment revelacioned come to your own being, a revolution happens in your vision. Once we discover our authentic self, we can embrace all aspects of the human experience—from the earthy, pleasure-loving qualities that characterize Zorba the Revelacioned to the watchful, silent qualities of Gautam the Buddha. Skip to main content.

Unreposeful and gave Binky interchanged their disturbs maroons or overrank mustily. Girl, Wash Your Face: Jaime metrological tingling, amx ni troubleshooting their very giftedly metallings. This item may be oibro floor model or store return that has been used. Save on Nonfiction Trending price is based on prices over last 90 days.

Tamas fret onwards, his affable laments. Surrounded by meaninglessness, boredom, anguish, it cannot find its own humanity. Dust cover may be missing or if present may have moderate wear.

Esto se debe al hecho de que el nivmero de portadores en un conductor no 1. Los materiales intrinsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo. Observe que existen niveles y estados de energia miximos en 10s cuales se puede encontrar cualquier electron. Cuando 10s atomos de un material se unen para formar la estructura de la red cristalina..

El resultado net0 es una expansion de la banda de 10s niveles discretos de estados de energia posibles para 10s electrones de valencia. Recuerde que la ionizaci6n es el mecanismo mediante el cual un electron puede absorber suficiente Capitulo 1 Diodos semiconductores. Un increment0 en la temperatura.

Nivel de valencia capa mds externa Segunda nivel siguiente capa interna c: Mientras mhs disrante se encuentre el electrbn del nucleo.. Entre 10s niveles de energia discretos existen bandas vacias. V Elecuoner de valencia.

ANALISIS INTRODUCTORIO DE CIRCUITOS R.BOYLESTAD EN PDF

Material tipo n Tanto el material tipo n como el tip0 p se forman mediante la adici6n de un numero predetermi- nado de atomos de impureza al germanio o al silicio. En la secci6n 1. Observe que para el aislante la banda de energia es con frecuencia de 5 eV o mL. Q es la carga asociada con un unico electr6n. El conductor tiene electrones en la banda de conduccion aun a 0 K. Sustituyendola carga de un electron y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacion 1.

Para el silicio Eg es de 1. Estas impurezas. TIPO n Y TIPO p Las caracterfsticasde 10s materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente por la adicion de ciertos atomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Se obser- vara que la energia asociada con cada electron se mide en electrbn volts eV. Existen dos materiales extrinsecos de gran importancia para la fabricaci6n de dispositivos semiconductores: Para el germanio.

A 0 K o cero absoluto Cada uno se describirh con detalle m h adelante. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1. Sin embargo. La unidad de medida es adecuada.

El tipo n se crea a travis de la innoduccion de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia pentavalentes. Es obviamente es menor. Este elecnon restante. Si el nivel de "dosificaci6n" fuera de 1 en 10 millones lo7. El resultado es que a temperatura ambiente existe un gran niimero de portadores electrones en el nivel de conducci6n. Es importante comprender que.

Capfitulo1 Diodos semiconductores. El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a travks del diagrama de bandas de energia de la figura 1. A tempe- ratura ambiente en un material de Si inbinseco existe aproximadamente un electr6n libre por cada dtomos uno por cada para Ge. Debido a que el itorno de impu- reza insertado ha donado un electr6n relativamente "libre" a la estructura: Aquellos electrones "libres" que se deben a la impu- reza ariadida se sinIan en este nivel de energia.

Observe que un nivel de energia discreto Ilamado el nivel del donor aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente menor que aquel del material inm'nseco. Observe que las cuauo uniones covalentes aiin se encuentran presentes. El material resultante tip0 p es elkctricamente neutro. A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como atomos aceptores.

ANALISIS INTRODUCTORIO DE CIRCUITOS medical-site.infoTAD EN PDF

La direccion que se utillzara en el texto es la del flujo conventional. Observe que ahora existe un numero de electrones insuficiente para completar las uniones covalentes de la red cristalina recien formada. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este proposito son el boro.

El efecto de alguno de estos elementos. Material tip0 p El material tipop se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con atomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Figura 1. Flujo de electrones cornparado con flujo de huecos El efecto del hueco sobre la conducci6n se muestra en la figura 1.

A la vacante que resulte se le llama hueco. Si un elecuon de valencia adquiere suficiente energia cinhtica para romper su union covalente y llena un hueco. Por esta razon: En un material tipo n guru 1. En un material tip0 n. En el mo- mento en que son "unidos" 10s dos materiales. En la siguiente seccion se encontrari que la "union" de un solo material tipo n con nn material tipo p tendri por resultado un elemento semiconductor de imponancia considerable en 10s sistemas electr6nicos.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales. Cada una es una condition que dart4 un resultado que el usuario debera comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva. Por razones anilogas. Las "vacantes" dejadas a t r b en la estructura de uniones covalentes representan una canti- dad muy limitada de huecos.

Los materiales tip0 n y p representan 10s bloques de construcci6n bisicos de 10s dispositi- vos semiconductores. Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrinseco. Para el material tipo p el numero de huecos snpera por mucho el nlimero de electrones. El resultado neto. El diodo semiconductor se forma con so10 juntar estos materiales constmidos en la misma base: Ge o Si.

Cuando el quinto electron de un itomo donor deja a su btomo. Por tanto: En un material tipo p el hueco es elporfador mayoritario y el electrbn es el portador minoritario. A esta region de iones positivos y negatives descubierros se le llama region de agoramiento.

En resumen: En ausencia de un voltnje depolarimci6n aplicado. Este flujo de portadores se indica en la figura 1. Sin polarizacion aplicada V. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibuj6 en una escala mayor que el flujo de 10s electrones con objeto de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la cancelacion del flujo. Una vez mas.

Mientras m h cercano se encuentre el portador minoritario a la union. Se puede considerar que alga similar pasa con 10s portadores minoritarias electrones del material tipa p. Flulo de ponadores mayoritarios u Figura 1. I4 para 10s portadores minoritarios de cada material. Con la idea de que surjan anaisis futuros.

Si se examina con cuidado la figura 1. Esta cance- laci6n de 10s vectores se indica por medio de las lineas cruzadas. Los portadores mayoritarios electrones del material tipo n deben sobreponerse alas fuer- zas de atraccidn de la capa de iones positivos del material tipo n.

El flujo resultante debido a 10s portadores mayoritarios tambibn se describe en la figura 1. Observe que la flecha esta asociada con el componente tipo p y la barra con la regi6n de tipo n. Por razones similares. El simbolo para el diodo se repite en la figura 1.

Dicha ampliaci6n establecera una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por 10s ponadores mayoritarios. A la com'ente que existe bajo las condiciones de polarizacibn inversa se le Uama com'ente de saturacwn inversa. La comente de saturaci6n inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes. El efecto neto. Las condiciones de polarizacion inversa se describen en la figura 1.

Como se indic6. Condicion de polarizaci6n inversa V.

I p u Renion de agotamiento n I Figom 1. A su vez. El flujo de electrones. Mientras se incremente en magnitud la polarization aplicada. La aplicacion de un potencial de polarizaci6n directa V. Esto se debe a la resistencia intema del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo.

La mptura de las caracteristicasen V. Para valores positivos de VD. Para VD. El resultado seri positivo para 10s valores positivos de VD e I. Observe tambiin la rapidez con que se incrementa la coniente despues del punto de inflexi6n de la curva de respuesta.. Para valores negativos de V. En un principio. Para 10s valores positivos de I.

Antes de dejar el tema del estado de polarizacidn directa. Cada una contridownloade a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de coniente. Es importante observar el cambio en la escala para 10s ejes vertical y horizontal. Observe que la escala vertical de la figura 1. Observe en la figura 1. Si se expande la ecuacion I A en la forma siguiente. La coniente se incrementa 14 Capitdo 1 Diodos semiconductores. I9 se ofrece una grifica de la ecuacion 1.

Con el tiempo. A travLs del empleo de la fisica del estado dlido se puede demostrar que las caracteristi- cas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacion siguiente para las regiones de polarizaci6n directa e inversa: Regi6n Zener Figura 1.

Silicio en funcibn de germanio Los diodos de silicio tienen. Mientras el voltaje a traves del diodo se increments en la region de polarizaci6n inversa. El mirrimo potencial de polarizacibn inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la region Zener se conoce como voltaje pico inverso referido simplemente como el valor PZV.

Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar a1 proceso de ionizacion.

Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de V. La region Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no dehe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractensticas de esta regi6n de voltaje inverso La region de avalancha V.

El potencial de polarization inversa que da como resultado este cambio muy drastic0 de las caracteristicas se le llamaporencial Zener y se le da el simbolo V. Los diodos tambikn se conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transpone de comente. Esto ocurre debido a que existe un fuene campo elictrico en la regi6n de la union que puede superar las fuerzas de union dentro del dtomo y "generar" ponadores.

Estos diodos se describen en la secci6n 1. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede aumentar a cerca de "C O F. Si una aplicaci6n requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. Peak Reverse Voltage. Aunque el. La mayor variation para el silicio se debe. Efectos de la temperatura La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caracteristicas de un diodo semiconductor de silicio.

Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical. Esto es evidente por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conduccion se ha alcanzado. Este factor toma pane en la determination de la forma de la curva so10 en niveles de coniente muy bajos. Fgun El potencial por el cual ocurre este crecimiento se conoce comopotencial de conduccibn de umbral o de encendido.

Con frecuen- cia. A pmir de mliltiples experimentos se encontro que: La corriente de saturacibn inversa serir casi igual a1 doble en magnitudpor cada 10 'C de increment0 en la temperatura. En 10s siguientes p h a f o s se demostrar6 como el tipo de voltaje o setial aplicado definira el nivel de la resisten- cia de interts. No es poco frecuente que un diodo de germanio con un i.

Los niveles de comente de esta magnitud en la region de polarization inversa con seguridad cuestionanian la condition deseada de circuito abieno en la region de polarizaci6n inversa. Los valores tipicos de I3 para el silicio son mucho menores que parz el germanio para unos niveles similares de potencia y comente. Flgura 1. Los niveles de Is aumentan a mayor temperatura con niveles menores del voltaje de umbral. Cuando el punto de operation de un diodo se mueve desde una region a otra.

Desde luego. Se presentah tres niveles diferemes en esta section. El resnltado es que afin a mayor tempe- ratura. Mientras la temperatura mejora las caracteristicas en pola1izaci6n directa. Los niveles de resistencia en dc en el punto de inflexion y hacia abajo seran mayores que 10s niveles de resistencia que se obtienen para la seccion de crecimiento vertical de las carac- tm'sticas.

Coma es natural. La resistencia del diodo en el punto de operacibn puede encontrarse con so10 localizar 10s niveles correspondientes de VDe ID coma se muestra en la figura 1. I Determine los niveles de resistencia en dc para el diodo de la figura 1. Debido a que. Resistencia en dc o estiitica La aplicacion de un voltaje dc a un circuit0 que contiene un diodo semiconductor tendri par resultado un punto de operacion sobre la curva caracteristica que no c a m b i d con el tiempo.

En forma de ecuacion Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequefio y equidistante como sea posible el cambio en ei voltaje y en la comente a cualquier lado del punto Q. Una linea recta dibujada tangencialmente a la c w a a traves del punto Q Sin tenet una sefial con variacion aplicada Q operaci6n dc.

Linea langente. La entrada variante desplazara de manera instanthea el punto de operation hacia arriba y abajo en una region de las caractensticas y. Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de dc. La designacion del punto Q se deriva de la palabra estable por la inicial en inglCs de: Resistencia en ac o dintmica A partir de la ecuacion La resistencia ac en la region tics es Los cambios que resultan en la comente y el voltaje son AI. Es decir.

La derivada de una funcibn en un punto es igual a la pendiente de la linea tangente dibujada en dicho punto. En general. Si se encuentsa la derivada de la ecuaci6n general 1. Para valores menores de ID. El significado de la ecuacibn I. Para 10s valores pequeiios de IDpor abajo del punto de inflexidn de la curva.

Para el ejemplo 1. Todos 10s niveles de resistencia que se han deteminado hasta ahora han sido definidos para la union p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en si Ilamada resis- tencia del cuerpo. La resistencia ac promedio es. Resistencia en ac promedio Si la seiial de entrada es lo suficientemente grande para producir una g a n excursi6n tal como lo indica la figwa 1.

La diferencia de 1. Utilizando la ecuaci6n 1. En realidad. En la region de polarization inversa se supondra que el cambio en La comente a lo largo de la linea Is es nulo desde 0 V hasta la regi6n Zener. Estos niveles de resistencia adicionales pueden incluirse en la ecuacidn 1.

Las mejoras tecnol6gicas de 10s afios recientes sugieren que el nivel de r. En 10s niveles bajos de comente del diodo. No hay necesidad de tener las caractensticas disponi- bles o de preocuparse por trazar lineas tangenciales corno se defini6 en la ecuacion 1. En 10s niveles altos de comente.

La ecuaci6n 1. En medio. El hecho de que puedautilizarse un nivel de resistencia para tan amplio rango de las caracterfsticas probaa ser bastante 6til en la defini- ci6n de circuitos equivalentes para un diodo en una secci6n posterior. Si la resistencia ac r. Tabla resumen La tabla 1.

EL LIBRO DE LAS REVELACIONES OSHO PDF

En forma de ecuaci6n obdrvese la figura 1. Para la situaci6n indicada por la figura 1. Circuito equivalente de segmentos lineales Una ticnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las caracteristicas del dispositivo mediante segmentos lineales.

Para la seccion con pendiente del equivalente. El resultado es a menudo una red que puede resolverse mediante el empleo de ttcnicas tradicionales de analisis de circuitos. A partir de la figura 1. En esencia. Como es natural. El diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una unica direcci6n de conduction a Capitulo 1 Diodos semiconductores.

En otras palabras. Por lo regular. La baterfa s represents el defasamiento horizontal de las caracterkticas que deben excederse para establecer la conducci6n. La bateria so10 especifica que el voltaje a traves del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la bateria antes que pueda establecer- se la conduccion a travQ del dispositivo en la direccian que dicta el diodo ideal. La eliminaci6n de ravdel circuito 1.

Sin embargo.. Si se coloca nn voltimetro a travis de un diodo aislado encima de una mesa de laboratorio.

Theological incorrectness pdf

Rgura 1. Por ejemplo. Cuando se establezca la conduccidn. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducci6n hasta que VD alcanza 0. Cada uno se investigarz4 con mayor detalle en el capitulo 2. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. En el capitulo 2 se veri que esta aproximacion suele hacerse sin perjuicio considerable en cuanto a exactitud. Siempre existen excepciones a la regla general.

En este caso. Circuito equivalente ideal Ahora que r. En la industria. Los niveles de capacitancia seglin se definid en la secci6n 1. Estos incluyen: El voltaje direct0 VF a una comente y temperatura especificadas 2. Si se proporciona la mkima potencia o el valor nominal de disipacibn. Es comun que consistan s de una breve description limitada. El rango de temperatura de operation Dependiendo del tipo de diodo que se considere. La comente directa mixima I. Para la aplicaci6n considerada.

El tiempo de recuperaci6n inverso tr. La comente de saturation inversa IR a una comente y temperatura especificadas 4. De otra forma. El nivel miximo de disipaci6n de potencia a una temperatura en particular 6.

Figurn 1. BA Si se aplica el modelo simplificado para una aplicacidn en particular un caso frecuen- te. Cortesia de Fairchild Camera a n d I n s t r u m e n t Corporation. Temperaruia ambienre. El tkrmino recrijicador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectijicacibn. Temperatura ambienre.

P M Vollale invcrro. Una copia exacta de 10s datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument Corporation para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA aparece en las figuras 1.

Este ejemplo representaria la lista extensa de datos y caracteristicas. Cortesia d e Fairchild Camera and Instrument Corporation. Corriente de sobrecarga pico. En la fignra superior derecha se observa c6mo disminuye la capacitancia con el incremen- to en el voltaje de polarizaci6n inversa. La comente rectificada promedio. Las Areas especificas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identifica- cion comspondiente a la descripci6n siguiente: Los voltajes minimos de polarizacidn inversa PIV para cada diodo a una comente de saturaci6n inversa especificada.

Observe qne deb'ido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo. Corriente directapico reperirivo. El tiempo de recuperation inverso es 3 ps para la lista de condiciones de operacion. El rango de valores de VFen I. En la figura inferior se encuentra que la comente de saturacion inversa cambia un poco con 10s cambios crecientes de VR.

El rango de valores de VF en 1. En algunas de las curvas de la figura 1. Una seiial rectificada de media onda descrita en la sec- ci6n 2. Corrienre rectificada promedio. En ocasiones. Nivel de disipaci6n de potencia mrixima P. Este valor nominal define el valor miximo y el interval0 de tiempo para tales sobrecargas del nivel de comente.. Una breve investigaci6n de la seccidn El valor de la comente promedio es menor que las comentes directas continuas o pic0 repetitive.

Caracterfsticas de temperatura segun se indican. El valor de potencia mkima disminuye a una proportion de 3. El resultado es que niveles crecientes de comente resultarin en niveles crecientes de la capacitancia de difusion. El hecho de que la capacitancia es dependiente del potencial de polarizacion inverso aplicado.

En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Mientras m h se esta en contact0 con las hojas de especificaciones. Casi todos 10s efectos relatives a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias. Debido a que el ancho de esta regi6n d se incrementara mediante el aumento del potencial de polarizacion inversa.

Xc seri lo suficientemente pequefio debido a1 alto valor defpara presentaruna trayectoria de "corto" de bajareactancia. En la regibn de polarizacibn inversa se tiene la capacitancia de la regibn de transicihn o de agotamiento C. En la region de polarization inversa existe una regi6n de agotamiento libre de portadores que. Cste es mucho menor que un efecto de capxitancia directamente dependiente de la velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la region de agota- miento.

Ambos tipos de capacitancia se encuentran presentes en las regiones de polarization directa y polarizacion inversa. Aunque el efecto descrito tambien se encontrara presente en la region de polarizaci6n directa. Fwra 1. Si el voltaje aplicado se invierte para establecer una nueva situaci6n de polarization inversa. En la figura 1. Este segundo period0 se denota mediante r.

Casi todos 10s diodos de conmutacion disponibles en el mercado tienen un r. Algunos detalles de la consmcci6n real de dispositivos. Una de estas cantidades que todavia no se ha considerado es el tiempo de recuperation inverso. El tiempo de recuperation inversa es la suma de estos dos intewalos: Los electrones en el tipo p y 10s huecos que se difunden hacia el material tip0 n establecen un gran nhmero de portadores minoritarios en cada material.

En a l g h momenta. Esta combinaci6n de niveles de polarizaci6n dara por resultado una condici6n de polarizaci6n directa o "encendido" para el diodo. Para la mayor pane de 10s diodos cualquier marca. En el estado de polarizaci6n directa. Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por un capacitor en paralelo con el diodo ideal.

Fwra Existen ciertas partes de datos que. El h o d 0 se refiere a un potencial mayor o positivo y el citodo se refiere a una terminal a un potencial m b bajo o negativo. Una indicacidn OL al conectar como en la figura 1. Observe el pequefio simbolo de diodo en la parte inferior del selector. Si las conexiones se encuentran invertidas. Cuando se coloca en esta posicion y se conecta como se muestra en la figura I A3a..

Funcion de verificacion de diodos En la figura 1. El medidor tiene una fuente intema de coniente constante cercana a 2 mA que definira el nivel de volta- je. Prueba con un 6hmetro Ohmetro1 En la seccion 1. Una lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condici6n abierta Terminal negra Terminal roja dispositivo defectuoso.

Cortesia de Comoutronics Technology.. Mientras mis alta sea la comente. COMl - semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarizaci6n inversa.

A1 conectar el diodo en forma adecuada a1 diodo rnediaa!

Para la situaci6n de polarizaci6n inversa la lectura debe ser bastante alta. La indicacion resultante en el ohmetro seri una funci6n de la comente establecida por la bateria intema a travks del diodo a menudo 1. La caractenstica cae de manera casi vertical en un potencial de polaizaci6n inversa denotado como VZ. El mismo instrumento apareceri en mas de una ocasi6n en 10s capitulos subsecuentes.

Para un nivel de 2-mA. Zener 1. Para el eje horizontal. El hecho de que lacurva caiga abajo y lejos del eje horizontal. Observe que la escala vertical es de 1 d l d i v. Tamo el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno a1 lado de otro en la figura 1. Debido a su capacidad para soportar mayor temperatura y comente. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regi6n Zener. El diodo semiconductor. Los diodos Zener se encuentran disponibles con poten- ciales Zener desde 1.

Esta region de caracteristicas unicas se utiliza en el disefio de 10s diodos Zener. El termino "nominal" asociado con VZindica que se trata Zener: Para el diodo Zener la direction de la conduccion es ilpuesta a lade la flecha sobre el simbolo. Un increment0 en el dopado. La comente de prueba IZ,es la definida por el nivel f de potencia y Z , es la impedancia dinamica en este nivel de cornente. La maxima impedancia del punto de inflexion ocurre en la comente del puntn de inflexion de I.

El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en V , con respecto a la tempe- ratura. Un valor positivo reflejana un incremento en VZcon un aumento en la temperatura, mientras que un valor negativo daria como resultado la disminuci6n en el valor con un incremento en la temperatura.

Los niveles de 24 V, 6. Regresando a la ecuaci6n 1. El ejemplo 1. Coefieiente de temperatura contra Irnpedancia dinsmica corilente Zener contra forriente Zener.

Cortesia de Fairchild Camera and Instrument Corporation. Deteminar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild IN de la tabla 1. Una vez mas, el Zener de 10 V surge entre 10s Zeners de 6. Observe igualmente que cuando se cae abajo del punto de inflexi6n de la curva, la resistencia se incrementa a niveles significativos. La identificaci6n de la terminales y el encapsulado para una variedad de diodos Zener apa- rece en la figura 1. La figura 1. Observe que su aspect0 es muy similar al diodo semiconductor.

Cortesia de Siemens Corporation. En la actualidad, 10s dos tipos que se utilizan con mas frecuencia para llevar a cab0 esta funcion son el diodo emisor de luz LED, por las iniciales en inglCs de: Debido a que el LED entra. La pantalla LCD se describe en el capitulo Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz LED es un diodo que emite luz visible cuando se energiza. En cualquier uni6np-n con polarizacion directa existe, dentro de la estruc- tura y en fotma primaria cerca de la union.

Esta recombinacion requiere que la energia que posee un electron libre se transfiera a otro estado En todas las uniones p-n de semiconductor, pane de esta energia se emite como calor y otra pane en forma de fotones.

En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales. Alproceso de emision de luz mediante la aplicacibn de una fuente de energia eli. Como se muestra en la figura 1. Observe en la figura que la recornbinacion de 10s portadores inyectados debido a la union con polarizacion d'directa genera luz, que se emite en el lugar en que se da la recombinaci6n.

Puede haber, desde luego, alguna absorci6n de 10s paque- tes de energia de 10s fotones en la superficie misma, per0 un gran porcentaje se encuenua disponible para salir, segun se muestra en la figura.

La apariencia y caractensticas de una limpara subminiatura de estado s6lido de gran efi- ciencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1. Observe, en la figura 1.

Sin embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1. El nivel de V, bajo condiciones de polarizaci6n directa se indica como V, y se extiende de 2. En ouas palabras, se puede esperar una comente de operaci6n tipica de aproximadamente 10 mA a 2. Estas son la intensidad luminica axial Iv y la eficiencia Iuminica q,. La intensidad de la luz se mide en candelas. Una candela emite un flujo de luz de 4rrlfimenes y establece una iluminaci6n de 1 candela pie en un irea de 1 pie cuadrado a 1 pie de la fuente de luz.

Aunque esta description quizi no ofrezca una comprension clara de la candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares.

El t6rmino eficncia es, por definicion, una medida de la capacidad de un dispositivo para generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del numero de lumenes generados por watt aplicado de energia electrica.

Esta eficiencia relativa esti definida por la intensidad. La intensidad relativa de cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.

Debido a que el LED es un dispositivo de unionp-n, tendra una caracteristica en polarizaci6n directa figura 1. Observe el increment0 casi lineal en la intensidad luminica relativa con corriente directa figura 1.

La fi,eura 1. I,, Intensidad luminlca 1. JdJ 1cninl: J JC unl: Hoy en dia, las pantallas de visualization LED se encuentran disponibles en muchos ta- maiios y formas diferentes. La region de emision de luz esta disponible en longitudes desde 0. Los numeros pueden crease por segmentos como 10s que se ejemplifican en la figura 1.

Al aplicar una polarizacion directa al segment0 apropiado de material tip0 p, se puede desplegar cualquier nfimero del 0 al 9. Lapantalla de visualizaci6n de lafigura 1. Existen tambiCn lamparas LED condos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una inversion en la polarizacidn cambiari el color de rojo a verde o vicevena.

Actualmente, 10s LED se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, nasanja y blanco; el blanco con azul estari disponible pronto. En general, 10s LED operan a niveles de voltaje desde 1. Tienen un tiempo de res- puesta ripido nanosegundos y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta mW con un tiempo de vida de Su construction de semiconductor le aiiade un significativo factor de fortaleza. Cortesia de Hewlett-Packard Corporation.

Sin em- bargo, se ha alcanzado una platafoma en la introduction de circuitos electronicos que permite por lo menos hacer un examen superficial a 10s meglos de diodos en circuitos integrados. Se encontrara que el circuito integrado no es un dispositivo 6nico con caractefisticas totalmente diferentes a aquellas que se analizarin en estos capitulos introductorios.

En otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce actualmente, se convirtiera en una realidad. Un arreglo posible aparece en la figura 1.

Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura 1. Los otros ndmeros siguen despues en secuencia. Si solo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las terminales I y 2 o cualquier otro nlimero del3 a1 9. Bv L C Capacirancia I 1 5. LZ frbrrcrdcbc rcr ron,ulmdz para nplicaciones quc involucren op. La farma dei airlador de Figura 1.

Cortesia de Fairchild mi". Vidno Conexiones de Kovar. Peso dei encapsulado: Los diodos restantes se quedm'an "colgando" y no afectarian la red a la cual so10 estm'an conectadas las terminales 1 y 2.

Ouo arreglo de diodos aparece en la figura 1. En este caso el encapsulado es diferente, per0 la secuencia de numeraci6n aparece en el diagrama de base.

La terminal 1 es la que esta directamente arriba de la pequefia muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales hacia abajo. TO-I Desc"pc16n -1 0. Ver derc"pci6n del encapsulado TO-I Noros: Aieaci6n Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas, Cortesia de Fairchild Camera and Instrument Corporation. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computaci6n, existe a1 principio un temor muy comun hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando esto en cuenta, el analisis por computadora de este libro fue disefiado para hacer que el sistema por computadora resulte mas "amistoso", mediante la revelaci6n de la relativa facilidad con que se puede aplicar para llevar a cab0 algunas tareas muy utiles y especiales con una cantidad minima de tiempo y un alto grado de exactitud.

El contenido se escribio suponiendo que el lector no tiene experiencia previa en computation ni tampoco contact0 con la terminologia que se utilizar8.

Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea suficiente para permitir una comprension completa de 10s "c6mos" y 10s "porquts" que surgi- r6n. El proposito aqui es meramente presentar algo de la terminologia, analizar algunas de sus capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demos- trar su versatilidad con un numero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.

En general, el anasis por computadora de 10s sistemas electr6nicos puede tomar uno de dos mttodos: Un lenguaje, a Eaves de su notacion simb6lica, construye un puente entre el. El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligio debido a que emplea una cantidad de palabras y frases famihares de la lengua inglesa que revelan, por si mismas, la operacion que se desarrollara.

Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desa- rrolla unprograma que define, en forma secuencial, las operaciones que se llevaran a cabo, en su mayor pane, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo anilisis efectuando 10s cilculos a rnano. Al igual que ocurre con el mitodo de calcular a mano, un paso incorrect0 y el resultado que se obtiene careceri por completo de significado. Obviamente, 10s programas que se desanollan con tiempo y aplicacion son medios m b eficaces para obtener una soluci6n.

La ventaja m L importante del mktodo de 10s lenguajes radica en que el programa puede adap- tarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario.

Permite que este liltimo haga "movimientos" especiales que daran por resultado la obtencion de datos en forma impresa, de manera informativa e interesante. El mdtodo altemo que se describio antes utiliza un paquete de computadora para llevar a cab0 la investigation deseada. Un paquete de programacion es un programa escrito y probado durante cierto tiempo, que se diseiia para realizar un tipo de anilisis o sintesis en particular de manera eficiente y con un alto nivel de exactitud.

El paquete en si no puede ser alterado por el usuario y su aplicacion esti limitada alas opera- ciones que se integan al sistema. Un usuan'o debe ajustar su deseo de informacion de salida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Ademis, el usuario debe capnuar informacion, tal y como lo exige eel paquete, o de lo contrario 10s datos pueden ser malinterpretados. El paquete de pro,pmacion que se eligi6 para este libro es PSpice. DOS y Wmdows. Es como todo: La versi6n de DOS que se usa en este texto es la 6.

En M i c m S i , ubicada en irvme, California, se encuenuan disponibles copias para evaluaci6n. TambiCn se encuenua disponible en discos flexibles de 35". Un lenguaje. Cortesia de MicroSim Corporation. El usuario debe definir cuil mCtodo satisface mejor sus necesidades del momento. Obviamente, si existe un paquete para el anilisis o sintesis que se desea reali- zar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para desarrollar un programa confiable y eficiente.

Ademis, es posible adquirir 10s datos que se necesitan para un anilisis en particular de un paquete de programacidn y luego buscar un lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, 10s dos mttodos van de la mano.

Si alguien continuamente tiene que depender del anilisis por computadora, es necesa- rio que conozca el uso y las limitaciones tanto de 10s lenguajes como de 10s paquetes. La decision en cuanto a con qui lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, basicarnente, una funcion del irea de investigacion.

Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluid0 de un lenguaje o un paquete especffico ayudari a1 usuario a familiarizarse con otros lenguajes y paquetes. Existen similitudes en propositos y procedimientos que facilitan la transicion de un mttodo a otro. En cada capitulo se h a r h algunos comentarios respecto a1 anilisis por computadora. En algunos casos aparecera un programa BASIC y una aplicacion PSpice, mientras que en otras situaciones solo se aplicari uno de 10s dos.

Conforme surja la necesidad de entrar en detalles, se proporcionari la infomaci6n necesaria para permitir cuando menos una comprensi6n su- perficial del anilisis. En el capitulo 2 el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice.

Como un primer paso dirigido bacia tal anilisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripcion en el manual PSpice incluye un total de 14 parametros para definir sus caractensticas terminales. Estos incluyen la comente de saturation, la resistencia en sene, la capacitancia de la conexion, DI el voltaje de ruptura inverso, la corriente de tuptura inversa, y muchos otros factores que en 2 U caso necesario pueden especificarse para el disefio o andisis que vaya a realizarse.

El figura 1. Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglon seguida por la identificacion que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de 10s nodos puntos de conexion para 10s diodos define el potencial en cada nodo y la direction de la conducci6n para el diodo de la figura 1. En otras palabras, la conducci6n se especifica a partir del nodo positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la descripcion del parametro que sigue.

El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier numero de diodos en la red, como D2, D3, y asi sucesivamente. Los parametros se especifican cuando se usa una instruccibn MODEL que tiene el formato siguiente para un diodo:. Las especificaciones del parimetro aparecen en partntesis y deben utilizar la notaci6n que se especifica en el manual PSpice.

La coniente de saturation inversa se encuentra listada como IS y se le asigna un valor de 2 x A. Se eligi6 este valor debido a que, por lo general, resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0. De esta manera, del analisis manual y par computadora se obtendrin resultados relativamente cercanos en cuanto a magnitud. Si bien en el listado anterior se especific6 un parimetro, la lista puede incluir 10s 10 parametros que aparecen en el manual.

Para 10s dos enunciados anteriores, es en particular importante seguir el formato segun se definio. La ausencia de un punto antes de MODEL o la omision de la letra D en el mismo rengl6n invalidaran por completo el registro.

Por tanto, una fuente para cada elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Una vez seleccionado, aparecera una lista de opciones de las cuales se elige Get New. Part Seleccionar una nueva parte. Apareceri una caja de diilogo; se selecciona Browse Hojear , lo cud lleva a la caja de diilogo de Get Part Traer parte.

Se escoge la biblioteca evalslb del listado de libre- rias y se recorre la lista de Panes p a r t hasta que se encuentra DIN Cuando se hace "click, la Description Description superior revelari que se trata de un diodo. Se hace "click en OK y apareceri un simbolo de diodo en la pantalla de esquemas.

Despues que se mueve el diodo a la posicion deseada. Cuando se haga "click" con el b o t h derecho del apuntador mouse , se completa la secuencia de colocacicin del diodo. Si se deben cambiar 10s parrimetros del diodo, simplemente de hace "click" una vez y solo una vez a1 simbolo del diodo en el esquema y luego se hace "click" otra vez en La opcion de Edici6n Edit en la b m a de mend.

Se elige el Modelo Model y luego Edtar Modelo Ejemplificado Edit Instance Model debido a que se desea establecer parametros para una sola aplicacion y una caja de diilogo del Editor de Modelos Model Editor aparecera con 10s parhetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cab0 en la caja de diilogo para ser utilizados en la aplicaci6n real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede resultar algo dificil de seguir y comprender.

Lo mejor seria obtener el modelo para su evaluation, inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente capitulo se presentara una red real que ayudari en el proceso de revisi6n.

Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispo- sitivo o a un sistema. Es decir, describa por quC son adecuados 10s equi- valentes de circuito cerrado y circuito abieno. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resist! Dibuje laesmcturaat6mica del cobre y analice par que es un buen conductor y como su estructura es diferente del gemanio y del silicio.

Defina, con sus propias palabras. Consulte su biblioteca de referencia y mencione Ires matenales que tengan un coeficiente de tem- peratura negativo y Ires que tengan un coeficiente de temperatura positivo. Si se requieren 48 eV deenergia paramover unacarza atraves de una diferenciade potencial de 12 V, determine la carga involucrada.

Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de Eg para Gap y ZnS, dos matenales semiconductores de valor practice. Especifique la diferencia entre 10s materiales semiconductores tipo ,I y tip0 p. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptoras.

Describa la diferencia entre 10s portadores mayoritarios y minoritarios. Dibuje la esmctura at6mica del silicio e insene una impureza de arsenic0 como se mostr6 para el silicio en la figura 1.

Repita el problema 15, pero insene una impureza de indio. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicacion para el flujo de huecos contra el de electrones. Utilizando ambas descripciones,sefiale con sus propias palabras,el pmceso de iaconduc- cion de huecos.

Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de polarizaci6n directa e inversa en un diodo de unionp-n, y la manera en que se afecta la corriente resultante Describa,como recordara los estados de polarizacion directa e inversa en el diodo de uni6np-n. Es decir, jc6mo recordari c u d potencial positivo o negativo se aplica a c u d terminal?